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有機金属気相成長装置(MOCVD)の開発、設計、製作

製品の特長

本装置は、Si(シリコン)、GaAs(ガリヒ素)、GaN(ガリウムナイトライド)などの基板に高温下で有機金属(有機溶剤に金属を溶融したもの)とガス(AsH3、PH3、NH3など)を反応させて化学的に薄膜を形成させるものです。弊社装置の特徴は、カスタマイズ仕様に対応可能で低価格・短納期を実現しております。装置構成は原料の供給、成膜炉の制御、排気及び除害処理、安全監視など一貫したシステムを提供いたします。