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真空蒸着装置

本装置は半導体に限らず金属薄膜を形成するプロセスに使用できます。当社の装置は2パターン有り、1つは金属源を最大12種類(12連)セットすることが出来ます。また、これらの金属を任意の厚さに薄膜形成するとともに、自動で複数の金属膜を連続して成膜することが可能です。他の1つは超高真空に対応した構造で、ワーク及び原料のロードロック機構を有しており、成膜室を大気に晒すことが無く常に安定した状態で薄膜を形成することが可能です。