本装置はハロゲン化物を高温下で分解し加熱した基板に吹き付けることで目的の薄膜を成長させる装置です。

厚膜の成長にも対応可能で結晶基盤の製作も対応可能です。

・量産用
　GaN　縦型バレル式　5inch×3枚　～1200℃（電気炉）　自公転機構
・超高温用
　AlN　横型式　3inch×1枚　～1700℃（高周波誘導加熱）　回転機構
・厚膜用
　GaN　横型式　膜厚：1cm　2inch　～1200℃（複合加熱）　回転機構　成長観察用カメラ搭載